[发明专利]一种红外拓展波长光探测器芯片外延片结构在审
| 申请号： | 202310825749.9 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116565043A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王岩;徐鹏飞 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/102 |
| 代理公司： | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人： | 周艺 |
| 地址： | 221399 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外拓展波长光探测器芯片外延片结构，属于半导体光电子器件技术领域；本发明包括InP衬底层、InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、InP电荷层和InP盖层；本发明主要针对1650‑1700 nm波段气体特征峰的探测，在传统的红外雪崩探测器基础上将无应变InGaAs吸收层设计成应变InGaAs吸收层，使传统红外雪崩探测器的波长响应范围往长波段拓展，且具有内部增益，从而提高气体探测的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 拓展 波长 探测器 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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