[发明专利]一种发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202310825890.9 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116565087B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 徐超 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及制备方法，发光二极管包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、第一P型氢原子调控层、电子阻挡层、第二P型氢原子调控层和P型接触层；其中，第一P型氢原子调控层和第二P型氢原子调控层均为氢掺杂P型氮化物层，第一P型氢原子调控层的氢掺杂浓度大于第二P型氢原子调控层的氢掺杂浓度。本发明在电子阻挡层前后分别插入第一P型氢原子调控层和第二P型氢原子调控层，有效的提高了电子与空穴的复合，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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