[发明专利]氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺有效
| 申请号： | 202310826990.3 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116565098B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺，该生长工艺包括：提供衬底；在衬底上依次沉积缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层及P型层；其中，P型层包括沿外延方向依次层叠的第一复合层及第二复合层，第一复合层包括第一P型GaN层及第一阶梯保护层，第二复合层包括第二P型GaN层及第二阶梯保护层；第一阶梯保护层包括沿外延方向依次层叠的第一AlN子层、Ga |
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| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 及其 生长 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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