[发明专利]一种复合型GaN基肖特基势垒二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202310827288.9 | 申请日： | 2023-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936505A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 白俊春;程斌;汪福进;贾永 | 申请（专利权）人： | 上海格晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博识智信专利代理事务所(普通合伙) 16067 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种复合型GaN基肖特基势垒二极管及其制作方法，所述复合型GaN基肖特基势垒二极管包括衬底层、缓冲层、若干异质结层、传输层、漂移层、高热导率介质层、阳极、金刚石散热层和阴极；所述缓冲层设置于衬底层上，所述若干异质结层依次叠设于缓冲层上，所述传输层设置于若干异质结层上，所述漂移层设置于传输层上，所述高热导率介质层设置于传输层和漂移层的内侧面；本发明所制备的具有高热导率介质层的复合型GaN基肖特基势垒二极管通过在阳极凹槽处采用低热阻的介质层进一步提高器件的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合型 gan 肖特基势垒二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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