[发明专利]逆导-结型栅双极型晶体管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310828129.0 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116544273A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;钱靖 | 申请（专利权）人： | 深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/73;H01L21/331;H01L21/28;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 黄文静 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逆导‑结型栅双极型晶体管器件，包括结型栅双极型晶体管和结型场效应晶体管并联，所述逆导‑结型栅双极型晶体管器件的元胞结构包括：下表面设置集电极的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括交替排列的第一P+型掺杂区和N+型掺杂区；位于碳化硅衬底上方的N型缓冲层；位于N型缓冲层上方的N‑型漂移区，且N‑型漂移区顶部的两端和中间设置有栅极沟槽；位于栅极沟槽的底面和侧壁第二P+型掺杂区；位于第二P+型掺杂区上表面的栅极；位于N‑型漂移区的上方N+型发射极区以及位于N+型发射极区上方的发射极。本发明的逆导‑结型栅双极型晶体管器件全电流处理能力好、开关速度高、反向恢复能力好、可靠性与稳定性高、尺寸较小。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导 结型栅双极型 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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