[发明专利]一种无场翻转SOT-MRAM的制造方法在审
| 申请号： | 202310833178.3 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116761437A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 孙慧岩;秦颖超;商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N52/01;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 魏梳芳 |
| 地址： | 100191 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及磁性存储器技术领域，尤其涉及一种无场翻转SOT‑MRAM的制造方法，具体包括：提供一衬底，在衬底中制作多个导通孔；在衬底的上表面刻蚀导通孔，使导通孔侧壁倾斜；在衬底上沉积SOT层，并进行化学机械抛光；在SOT层上依次沉积自由层、氧化层和固定层，并刻蚀，自由层、氧化层和固定层形成磁隧道结；在多个磁隧道结之间以及多个磁隧道结之上沉积层间电介质层；在层间电介质层中沉积金属电极，得到SOT‑MRAM存储器。通过SOT块角度的设计实现无场翻转，易于制造，确保衬底层面的可加工性；避免了刻蚀过程中对于膜堆全刻蚀带来的损伤，同时MTJ的刻蚀窗口增加；降低了SOT的表面粗糙度，提高了磁隧道结效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 翻转 sot mram 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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