[发明专利]一种SiC MOSFET及其制作工艺方法有效
| 申请号： | 202310836119.1 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116598340B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 罗寅;谭在超;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 葛莉华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiC MOSFET及其制作工艺方法，其可降低寄生体二极管的续流损耗，同时可确保SiC MOSFET正常导通及其反向耐压特性，SiC MOSFET包括自下而上依次分布的漏极金属层、衬底、漂移层、栅极绝缘层、栅极、分布于栅极两侧的源极金属层、P+Ge掺杂区、阱区、源区，P+Ge掺杂区、阱区、源区位于漂移层内，阱区位于漂移层的两侧顶部区域，P+Ge掺杂区纵向贯穿阱区后与漂移层接触，并将阱区分割为两个区域：条形区、L型区，源区位于L型区的直角内侧，P+Ge掺杂区的外侧端与条形区的内侧端接触，P+Ge掺杂区的内侧端与源区外侧端、L型区的底部侧端接触，源极金属层位于源区、P+Ge掺杂区顶端，P+Ge掺杂区与漂移层形成异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 及其 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州锴威特半导体股份有限公司，未经苏州锴威特半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310836119.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电芯及用电设备
- 下一篇：一种防盗防漏电变压器
- 同类专利
- 专利分类
