[发明专利]硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310837449.2 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116936668A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;王月飞;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳云海专利代理事务所(特殊普通合伙) 44846 | 代理人： | 王天桂 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法，包括硅衬底（10）、可见/红外光响应层（20）以及紫外光响应层（30），可见/红外光响应层（20），其制备在硅衬底（10）上方，可见/近红外光响应层（20）从下至上包括可见/近红外光吸收层（21）和第一重掺杂电极接触层（22），第一重掺杂电极接触层（22）制备于可见/近红外光吸收层（21）上方；紫外光响应层（30）制备于可见/近红外光响应层（20）的第一重掺杂电极接触层（22）上，该紫外光响应层（20）从下至上包括势垒层（31）、紫外光吸收层（32）和第二重掺杂电极接触层（33）。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 可见 红外 波段 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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