[发明专利]一种化学钝化硅片及制备方法和光伏电池片在审
申请号: | 202310837827.7 | 申请日: | 2023-07-10 |
公开(公告)号: | CN116864545A | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 梁宗存;旷宣飞 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟贤 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请属于光伏电池技术领域,尤其涉及一种化学钝化硅片及制备方法和光伏电池片;化学钝化硅片为在硅片表面依次生长氢化二氧化硅和二氧化钛氧化层的硅片,通过氢化二氧化硅和二氧化钛使表面原子有足够时间达到最佳能级,进而饱和悬挂键,增强少数载流子寿命,从而解决现有技术中缺乏表面钝化硅片,导致少数载流子寿命较短的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 钝化 硅片 制备 方法 电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的