[发明专利]一种半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310838491.6 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116937328A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张江勇;王星河;李水清;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/024 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 237161 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光元件，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，在所述下限制层上构建有电子储蓄结构，用于实现对所述有源层的载流子分布的调控。本发明提供了的一种半导体激光元件，通过在下限制层上构建电子储蓄结构，以实现对有源层的载流子分布的调控，可以有效降低阈值电流和提升斜率效率，同时降低非辐射复合损耗和自由载流子吸收损耗产生的热量，降低有源层的热量积蓄，提升热导率和散热性，改善激光器的老化光衰和聚焦光斑分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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