[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 202310838502.0 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116914047A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫;王星河;刘紫涵;张江勇;陈婉君;张会康;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 237161 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、第一n型半导体、第二n型半导体、第一调控层、第一量子阱、第二调控层、第二量子阱、第三量子阱、第三调控层、电子阻挡层、第四调控层和p型半导体；其中，第一调控层、第二调控层、第三调控层和第四调控层共同构成热态冷态效率比例调控层。采用本发明实施例，实现对半导体发光元件在热态和冷态下的发光效率的调节，提升热态下的辐射复合，从而提升半导体发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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