[发明专利]一种制备TBC电池的方法在审
| 申请号： | 202310843605.6 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936677A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 扬川苏;朱锋;赵桂香;张中建;李岩松;杜敬良;谢文君;高荣刚;黄国平;李菁楠 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/228;B41M5/26 |
| 代理公司： | 江苏德耀知识产权代理有限公司 32583 | 代理人： | 崔娟 |
| 地址： | 212000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备TBC电池的方法，包括对硅片进行预处理以及在预处理之后，背面使用气相氧化法制备隧穿氧化层，采用非原位掺杂技术沉积本征多晶硅层(i‑poly‑Si)，同时对本征多晶硅层进行激光转印硼浆和磷浆，并通过高温退火实现多晶硅的定域掺杂。与传统的工艺路线相比，使用本征多晶硅+激光转印浆料的方法替代了繁杂的光刻工艺，可以精准制备相互交叉排布的N型掺杂区和P型掺杂区，制程简单，有利于降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 tbc 电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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