[发明专利]一种晶硅TOPCon太阳能电池的基体结构及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202310843769.9 申请日: 2023-07-11
公开(公告)号: CN116936656A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 丰平;李强强;陈兆民;麻增智 申请(专利权)人: 中润新能源(滁州)有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/306;H01L21/02;B08B3/08;B08B13/00
代理公司: 南京启冠智兴知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32659 代理人: 孙运鑫
地址: 239000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种晶硅TOPCon太阳能电池的基体结构及其制备工艺,所述晶硅TOPCon太阳能电池的基体结构包括基体层主体,所述晶硅TOPCon太阳能电池包括依次设置在基体层主体的一面的P+发射极层、第一Al2O3层、第一减反射层和第一电极层,所述晶硅TOPCon太阳能电池还包括设置在基体层主体远离P+发射极层的一面的隧穿层、N+poly‑Si层、第二减反射层和第二电极层,所述基体层主体的一端面设置有圆滑金字塔结构。与现有技术相比,根据本发明的一种晶硅TOPCon太阳能电池的基体结构及其制备工艺能够对金字塔结构进行圆滑化处理,能够增加陷光效应的同时保证后续PN结制备及Al2O3层和SiNx的均匀沉积,增加硅片对太阳光的吸收,降低反射率,提升TOPCon电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 topcon 太阳能电池 基体 结构 及其 制备 工艺
【主权项】:
暂无信息
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