[发明专利]具有内嵌沟道二极管的平面分离栅SiC MOSFET在审
| 申请号： | 202310843891.6 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116936638A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赵琳娜;顾晓峰;鹿存莉;季颖 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/07 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 吕永芳 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有内嵌沟道二极管的平面分离栅SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该SiC MOSFET结构为分离栅极结构，在平面器件结构的基础上，内嵌了源极多晶硅结构，并与源极金属直接接触。通过在传统平面结构的基础上内嵌的源极多晶硅，使得器件的JFET区域变短，器件导通电阻增大。故为了降低器件的导通电阻，在栅极下方的JFET区域的浓度调大，宽度调大。正向导通时，相比于传统器件的两个导电沟道，本结构具有四个导电沟道。续流二极管的反向导通电压小于体二极管的反向导通电压，避免了体二极管的开启，降低了系统损耗。同时，避免了传统器件存在的双极退化效应，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 二极管 平面 分离 sic mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310843891.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
