[发明专利]一种利用ALD技术生长CaO薄膜的方法在审
| 申请号： | 202310844905.6 | 申请日： | 2023-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN116815162A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 温新涛;娄夏冰 | 申请（专利权）人： | 苏州源展材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 夏苏娟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用ALD技术生长CaO薄膜的方法，属于纳米材料技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将湿化学处理后的衬底置于原子层沉积设备反应腔中，通入脒基类钙前驱体在衬底表面进行化学吸附；S2、待S1中化学吸附饱和后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫，再通入氧前驱体反应；S3、待S2反应结束后，向反应腔中通入惰性气体进行吹扫，完成单个生长循环；S4、重复上述生长循环，在衬底表面生长得到CaO薄膜。其中脒基配体与金属原子呈现出不稳定的四元环结构，因此脒基类钙前驱体的反应活性更高。它可以在温度较低的情况下与其他共反应物发生反应，并且可以消耗掉薄膜中全部的羟基，使得薄膜可以在低温环境下顺利结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 ald 技术 生长 cao 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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