[发明专利]一种氧化物半导体TFT器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310857133.X | 申请日： | 2023-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN116936365A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;陈鑫 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种氧化物半导体TFT器件的制造方法，包括：在玻璃基板上采用PVD方式沉积一层第一金属层，即栅极金属层；在栅极金属层上采用CVD方式沉积一层第一绝缘层，即栅极绝缘层；在栅极绝缘层上采用PVD方式沉积一层有源层，在有源层的边缘沟道位置形成两个GND状态的第二金属层；在有源层上方采用PVD方式沉积一层第二金属层，并进行相应的图案化处理，形成源极和漏极。本发明通过在有源层的边缘沟道位置增加两个GND状态的第二金属层，可改善TFT边缘沟道的形成，避免Hump效应，从而提升器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 tft 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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