[发明专利]一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅在审
| 申请号： | 202310857993.3 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116926670A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林育仪 | 申请（专利权）人： | 通威微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/36;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 610299 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅，涉及半导体领域。用液相法制备碳化硅的方法包括：将原料装入石墨坩埚，石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热原料以得到原料熔体；将籽晶与原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长。通过设置曲线壁面的母线为最速下降曲线，能够增强原料熔体从边缘向中心流动的流速，在石墨坩埚中部形成较强的上升流股，加强原料熔体中心的对流强度。这样可以避免晶体生长过程中，中部位置的熔体对流明显弱于边缘位置的问题，从而提高碳化硅晶体的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用液相 法制 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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