[发明专利]一种提升二维材料异质结光电器件性能的方法在审
| 申请号： | 202310864660.3 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116936353A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曾健;刘杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/423;H01L31/18;H01L31/113 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 吴爱琴 |
| 地址： | 730013 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种提升二维材料异质结光电器件性能的方法。所述方法为对二维材料异质结光电器件进行快重离子束辐照处理。采用高能(MeV‑GeV)重离子辐照二维材料异质结光电器件，选取合适的辐照剂量可以提升二维材料异质结光电器件光电性能。在1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 提升 二维 材料 异质结 光电 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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