[发明专利]新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310870051.9 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936707A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赖奕彬;金力;喻文辉;杨杰 | 申请（专利权）人： | 晶能光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法，其中，新型反射结构包括：介电反射层，由介电材料形成有第一区域和第二区域，第一区域和第二区域于介电反射层的边缘处相接形成一台阶状结构；台阶状结构中，位于第一区域的介电反射层包括第一表面，位于第二区域的介电反射层包括第二表面，且第一表面高度大于第二表面高度；金属反射层，形成于介电反射层的第二区域表面。其通过将介电反射层边缘区域形成台阶状结构，且形成第一透明导电层后，在台阶状结构第三表面和第一透明导电层的侧边之间形成空隙，以此避免在光刻胶侧壁大量堆积甚至出现毛刺的现象，降低芯片可能出现的漏电风险。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 反射 结构 gan led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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