[发明专利]一种发射极伸入衬底凹槽的IGBT芯片在审
| 申请号： | 202310870552.7 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116632059A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫;徐思维 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 王娟;刘冬 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发射极伸入衬底凹槽的IGBT芯片，包括具有N型衬底、发射极金属结构的元胞；各个元胞的N型衬底相互连接从而形成一体结构，各个元胞的发射极金属结构相互连接从而形成IGBT芯片的发射极；元胞的第一结构具有开设在N型衬底上的第一凹槽，两个第一结构连接处具有开设在N型衬底上的第二凹槽，第一凹槽、第二凹槽均沿着IGBT芯片高度方向向下伸入N型衬底；第一结构包括第一栅极、第一有源区；第一栅极的至少部分伸入第一凹槽；第一有源区设置于第一凹槽、第二凹槽之间；发射极金属结构的至少部分伸入第二凹槽；发射极金属结构的至少部分的底端所在高度位置低于第一栅极的至少部分的底端所在高度位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射极 衬底 凹槽 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
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