[发明专利]一种金刚石集成半导体制冷器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310873049.7 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116669521A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 赵柯臣;朱嘉琦;关晓宇;赵继文;代兵 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H10N10/17 | 分类号： | H10N10/17;H10N10/13;H10N10/01 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种金刚石集成半导体制冷器结构及其制备方法，涉及半导体制冷器结构及其制备方法。解决现有金刚石基半导体制冷器无法实现主‑被动一体式的问题。结构由金刚石衬底、下金属电极、第一型热电偶、第二型热电偶、金刚石生长层一、上金属电极及金刚石生长层二组成；方法：一、通过光刻和物理气相沉积技术，在金刚石衬底表面沉积下金属电极；二、通过光刻和物理气相沉积技术，或者通过焊接技术，制备第一型热电偶和第二型热电偶；三、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层一；四、通过光刻和物理气相沉积技术，沉积上金属电极；五、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层二。本发明用于金刚石集成半导体制冷器结构及其制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 集成 半导体 制冷 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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