[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310878725.X | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936478A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;赵飞;罗军;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 梁佳美 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以降低CFET器件的集成难度，提高CFET器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成依次层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层。在半导体层上依次形成材料不同的第一掩膜图案和第二掩膜图案。在第一掩膜图案和第二掩膜图案的掩膜作用下，至少对层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层进行图案化处理。去除第一掩膜图案；并在第二掩膜图案的掩膜作用下，至少对半导体层进行图案化处理。基于第一鳍状结构制造具有[100]晶向的沟道的N型环栅晶体管；并基于第二鳍状结构制造具有[110]晶向的沟道的P型环栅晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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