[发明专利]闪存半导体结构、集成芯片、电子设备和制备方法在审
| 申请号： | 202310882528.5 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116940117A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种闪存半导体结构、集成芯片、电子设备和制备方法，涉及半导体技术领域。该闪存半导体结构包括：在底部衬底层表面自下及上依次设置的包含多个闪存单元的闪存器件层、多个沿垂直方法叠放的功能器件层；其中，功能器件层中至少包含逻辑计算单元；闪存器件层还包括多个第一电连接结构，设置于闪存器件层，第一电连接结构的第一端与闪存单元电性连接；填充有导电物质的层间通孔，开设于闪存器件层，并延伸至功能器件层，层间通孔的第一端与第一电连接结构的第二端电性连接；第二电连接结构设置于功能器件层，第二电连接结构的第一端与层间通孔的第二端电性连接，第二电连接结构的第二端与闪存半导体结构表面的连接层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 半导体 结构 集成 芯片 电子设备 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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