[发明专利]带隙基准电压源在审
申请号: | 202310883213.2 | 申请日: | 2023-07-19 |
公开(公告)号: | CN116931640A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 张明昊;周伟;冯晓光 | 申请(专利权)人: | 小华半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种带隙基准电压源,包括:第一PMOS管的源极与电源连接,其漏极与第一NPN管的集电极连接,其栅极与运算放大器的输出端连接;第一NPN管的基极与其集电极连接,其发射极与第一电阻的第一端连接;第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接,第二电阻的第二端通过可调电阻模块接地;第二NPN管的集电极与其基极连接,其发射极与第三电阻的第一端连接;第三电阻的第二端通过可调电阻模块接地;可调电阻模块包括N个串联电阻及N‑1个开关,N个串联电阻串联连接,且从第i个到第N个串联电阻与第i‑1个开关并联。通过本发明解决了现有的运放的失调电压及MOS开关管的导通电阻对基准电压影响较大的问题。 | ||
搜索关键词: | 基准 电压 | ||
【主权项】:
暂无信息
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