[发明专利]带隙基准电压源在审

专利信息
申请号: 202310883213.2 申请日: 2023-07-19
公开(公告)号: CN116931640A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 张明昊;周伟;冯晓光 申请(专利权)人: 小华半导体有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种带隙基准电压源,包括:第一PMOS管的源极与电源连接,其漏极与第一NPN管的集电极连接,其栅极与运算放大器的输出端连接;第一NPN管的基极与其集电极连接,其发射极与第一电阻的第一端连接;第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接,第二电阻的第二端通过可调电阻模块接地;第二NPN管的集电极与其基极连接,其发射极与第三电阻的第一端连接;第三电阻的第二端通过可调电阻模块接地;可调电阻模块包括N个串联电阻及N‑1个开关,N个串联电阻串联连接,且从第i个到第N个串联电阻与第i‑1个开关并联。通过本发明解决了现有的运放的失调电压及MOS开关管的导通电阻对基准电压影响较大的问题。
搜索关键词: 基准 电压
【主权项】:
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