[发明专利]III-V族化合物半导体3D堆栈式图像传感器焊盘打开的方法

摘要

本发明涉及半导体加工制造技术领域，特别涉及一种III‑V族化合物半导体3D堆栈式图像传感器焊盘打开的方法。上述方法主要包括：提供异质键合晶圆；在半导体晶圆背部沉积SiO2层；在异质键合晶圆表面涂覆光刻胶，去除pixel区以外的光刻胶，刻蚀掉露出的SiO2层；去除剩余的光刻胶，露出剩余的SiO2层；去除非pixel区的部分；确定焊盘的位置并对焊盘及pixel区以外的部分涂覆光刻胶；对不含有光刻胶的位置的SiO2层进行刻蚀。上述方法能够保证半导体晶圆在经过减薄至设定厚度之后，不再受到后续工艺影响其厚度值，同时减少了单独刻蚀InP晶圆背部氧化层的工艺，降低了在焊盘打开工艺过程产生经济损失的风险。