[发明专利]磁粒子成像中无磁场点瞬时位置的相位偏移校准方法在审

专利信息
申请号: 202310885901.2 申请日: 2023-07-18
公开(公告)号: CN116930843A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 田捷;卞忠伟;张泽宇;安羽 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 北京市恒有知识产权代理事务所(普通合伙) 11576 代理人: 郭文浩;尹文会
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于磁粒子成像技术领域,具体涉及一种磁粒子成像中无磁场点瞬时位置的相位偏移校准方法,旨在解决现有的无磁场点瞬时位置的相位偏移校准方法需要对MPI装置中每个器件都进行单独的测量或计算,导致工作量大、校准过程所需时间长,调节麻烦的问题。本方法包括:采集磁粒子响应信号及电流强度信号,作为输入信号;基于输入信号,循环对MPI装置成像过程中无磁场点的瞬时位置进行相位自动调制;相位自动调制结束后,求解相位偏移的最优解;根据相位偏移的最优解,对MPI装置中无磁场点的瞬时位置再次进行相位自动调制,得到最终相位偏移校准后的瞬时位置、瞬时速度。本发明不需要对硬件进行设置,大大降低相位调制难度、方便人员操作。
搜索关键词: 粒子 成像 磁场 瞬时 位置 相位 偏移 校准 方法
【主权项】:
暂无信息
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