[发明专利]一种边缘浮栅晶体管的存储方法在审
| 申请号： | 202310886195.3 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936641A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 任天令;田禾;吴凡 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种边缘浮栅晶体管的存储方法，边缘浮栅晶体管包括背栅极、背栅介质层、第二介质层、沟道层、第一电极和第二电极；背栅介质层覆盖在背栅极上；沟道层覆盖在第二介质层上，且第二介质层和沟道层均为台阶状的结构；第一电极和第二电极分别位于沟道层的下台阶面和上台阶面的上方；第二介质层的下台阶面覆盖在背栅介质层上；第二介质层的上台阶面的下方与背栅介质层之间，由下到上还依次层叠设置有第一栅极、第一介质层和第二栅极；背栅极、第一栅极及第二栅极各能够控制沟道层的一段沟道区域的选通；边缘浮栅晶体管通过使电子移动至第一栅极内完成写入操作；边缘浮栅晶体管通过使电子移动出第一栅极完成擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边缘 晶体管 存储 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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