[发明专利]碳化硅籽晶粘接方法在审
| 申请号： | 202310886307.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN116926664A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 崔殿鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B33/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 李也庚 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种碳化硅籽晶粘接方法，其包括：在籽晶托的粘接面上形成第一有机层，用以降低籽晶托的孔隙率；在碳化硅籽晶的粘接面上形成第二有机层，用以保护碳化硅籽晶；将柔性阻隔片的两个表面分别与籽晶托上的所述第一有机层和碳化硅籽晶上的第二有机层粘接；采用加热的方式对粘接后的碳化硅籽晶进行固化。本发明实施例提供的碳化硅籽晶粘接方法，可以减少晶体生长过程中的六方空洞缺陷，提升晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 籽晶 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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