[发明专利]制造多个单晶CVD合成金刚石的方法在审
| 申请号： | 202310886790.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116926668A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | C·J·H·沃特;D·J·特维切;J·L·科林斯 | 申请（专利权）人： | 六号元素技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/18;C23C16/27;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制造多个单晶体CVD合成金刚石的方法，该方法包括：用多晶CVD金刚石材料的层涂覆载体基底；将多个单晶金刚石基底结合到载体基底上的多晶CVD金刚石材料层；在所述多个单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料以形成多个单晶CVD金刚石；和将所述多个单晶CVD金刚石从载体基底上的多晶CVD金刚石材料层以及在所述多个单晶CVD金刚石之间生长的任何多晶CVD金刚石材料分离，以便产生多个单独的单晶CVD金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多个单晶 cvd 合成 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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