[发明专利]一种改善硅抛光片表面金属和颗粒品质的硅片的清洗方法在审
| 申请号： | 202310890445.0 | 申请日： | 2023-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN116631848A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王玥;王正阳;于兴瑞;于亚迪;孙艳美;潘世林;张荣彬 | 申请（专利权）人： | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 董亚男 |
| 地址： | 253084 山东省德州市经济技术开发*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善硅抛光片表面金属和颗粒品质的硅片的清洗方法。至少包括以下步骤：采用SC1清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；采用SC2清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；采用添加有螯合剂的SC1清洗液对硅片进行清洗；用超纯水冲洗；干燥。本发明的清洗方法，可以有效地改善硅抛光片表面金属和颗粒品质，提升硅抛光片的表面洁净度，提高后工序外延和器件加工的成品率。并且，采用本发明的清洗方法无需对清洗设备进行改造，具有操作简单、清洗效果好和运行稳定性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 抛光 表面 金属 颗粒 品质 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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