[发明专利]一种兼容BiCMOS工艺可调夹断电压PJFET晶体管在审
| 申请号： | 202310896203.2 | 申请日： | 2023-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN116936642A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 华玲 | 申请（专利权）人： | 无锡翼盟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 黄莹;顾吉云 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种兼容BiCMOS工艺可调夹断电压PJFET晶体管，其可以广泛适用于各种高中低夹断电压的应用场景中。其包括：设置在P型衬底上的埋层、外延层、基区、源区和漏区，其特征在于：在P型衬底上生成N型埋层，在N型埋层上方生成P型外延层；在P型外延层上，通过基区注入形成圆形P+漏区；在漏区的外周基于N型ESD注入形成圆环状的N型栅极；在N型栅极外周基于基区注入形成的圆环状的P+源区；在源区外侧设置圆环状的隔离N阱，隔离N阱电学连接到晶体管BN埋层；基于环状的隔离N阱和底部的BN埋层把晶体管的沟道体区和其他P外延区进行隔离；将N型埋层BN作为晶体管的N型背栅，所述N型背栅与N型栅极相互作用共同夹断晶体管的沟道体区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 bicmos 工艺 可调 断电 pjfet 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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