[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310898996.1 | 申请日： | 2023-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN116685145A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽伦 | 申请（专利权）人： | 长鑫科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;胡春光 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件包括：衬底：位于衬底中的第一晶体管；其中，第一晶体管至少包括U型的第一沟道、以及位于第一沟道表面的第一栅极；第一沟道的U型开口朝向第一方向、且背离衬底；第一方向为衬底的厚度方向；位于第一晶体管表面的U型开口内的第二晶体管；其中，第二晶体管至少包括第二漏极，第二漏极与第一栅极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫科技集团股份有限公司，未经长鑫科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310898996.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
