[发明专利]一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器在审

专利信息
申请号: 202310901976.5 申请日: 2023-07-21
公开(公告)号: CN116930116A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 周伊凡;王嘉怡;郭倩;龙湘穗;俞振宇;周辉;孙舒昕;马思源;李方浩;郎婷婷;沈超 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: G01N21/3581 分类号: G01N21/3581;G01N21/01
代理公司: 天津智行知识产权代理有限公司 12245 代理人: 张晨
地址: 334200 江西省上饶市德*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器,包括基板,所述基板的上表面安装有单元结构,所述单元结构由开口方环与金属棒组成。该基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器,相比较于传统的生物传感器,太赫兹柔性超材料传感器的传感灵敏度更高,而且太赫兹超表面传感器是将周围折射率的改变转换为光信号的改变,具有反应速度快、抗干扰力强等特点,属于无标记亲和型传感器,太赫兹柔性超材料传感器的使用不仅降低了检测费用,还且使检测方法更加简单、等待时间更加变短、结果更加准确,且随着太赫兹技术的发展,此传感器对生物医学的研究具有十分重要的价值,微加工技术的发展则为太赫兹功能器件的制造提供了强有力的保障。
搜索关键词: 一种 基于 mosfet 结构 赫兹 传感器
【主权项】:
暂无信息
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