[发明专利]一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法在审
| 申请号： | 202310909143.3 | 申请日： | 2023-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN116759399A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张佳佳;符超;万今明 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 罗森宝 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法，该封装结构包括塑封框架、电极键合部、平面电极及键合件；塑封框架内部设有晶圆键合区，框架的顶部为封装表面；电极键合部设于晶圆键合区上；平面电极设于封装表面；键合件设于晶圆键合区与平面电极之间且两端分别电连接电极键合部和平面电极。该封装结构将平面电极设置于处在晶圆键合区上方的封装表面上，并将键合件在晶圆键合区与平面电极之间，通过键合件的两端电连接到电极键合部和平面电极来实现IGBT的电气连接，增大了键合处的接触面积，有效地减缓了键合处的热聚集效应，使得IGBT工作时散热性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 封装 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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