[发明专利]CMOS图像传感器及其制备工艺、电子设备在审
| 申请号： | 202310909364.0 | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116884983A | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴贤丰;延宇豪;邱山峰;孙磊 | 申请（专利权）人： | 苏州山河光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 孙凤 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器、制备工艺、电子设备，CMOS图像传感器包括半导体基板，所述半导体基板具有光电转换单元阵列区，光电转换单元阵列区包括多个光电转换单元；所述CMOS图像传感器还包括于所述半导体基板的受光面排列于所述光电转换单元阵列区的超表面，所述超表面包括与所述多个光电转换单元一一对应的多个微结构组；所述超表面能够通过调节相位从而改变入射光的偏折路径，实现聚焦成像的功能，同时，超表面中的每一微结构设计时不受感光面积的影响，提高超表面的光线汇聚能力，提升光电转换单元接收的光线，提升CMOS图像传感器的感光性能，提高暗态环境下的拍摄效果，避免了滤光片与传统微型透镜面间反射形成的红色花瓣鬼影问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制备 工艺 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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