[发明专利]一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置在审
| 申请号： | 202310913850.X | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116936344A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林政勋;郭轲科 | 申请（专利权）人： | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B24B37/16 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 覃蛟 |
| 地址： | 226400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置，涉及半导体技术领域。通过在磨盘上设置多个第一研磨块和多个第二研磨块，第一研磨块上具有表面凹陷，第二研磨块上具有表面凸起，利用凸起型的研磨块和凹陷型的研磨块的异型错位分布，在旋转过程中，可以有效引导研磨下的颗粒向边缘流动，降低因研磨出来的半导体颗粒未能及时排出，所造成的对晶圆更深层的损伤。研磨之后进行清洗然后进行电感耦合等离子体刻蚀抛光，不需要引入抛光过程中的浆液，能大幅度省下抛光产生的耗材及抛光后清洗处理的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司，未经江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310913850.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
