[发明专利]硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310914678.X | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116936545A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 姚力;刘梦琪;刘志农;仇元红 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈翠平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了硅电容及其制备方法、芯片及其制备方法，硅电容包括硅基体、及设于硅基体一侧且间隔设置的两个焊点，两个焊点之间的中心间距为预设距离，预设距离用于与封装基板中相邻的两个焊盘之间的中心间距相等。本申请通过使两个焊点之间的中心间距与两个焊盘之间的中心间距相等，这样不仅可便于硅电容焊接至封装基板上，还可不影响封装基板中的走线设计，保障最短供电路径，不增大封装面积。避免由于封装基板中两个焊盘之间的中心间距与硅电容中两个焊点之间的中心间距不相等而增加封装基板的走线长度，从而增加芯片的整体尺寸。并且还可提高去耦效果与信号性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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