[发明专利]一种逆导型IGBT器件的背面结构及制造方法在审
| 申请号： | 202310918131.7 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116825835A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李昱兵;张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 | 申请（专利权）人： | 四川奥库科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 四川省天策知识产权代理有限公司 51213 | 代理人： | 刘堋;王荔 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面结构及制造方法，背面结构包括：衬底漂移区；N型缓冲一区和P型注入一区，层叠形成于衬底漂移区上；N型缓冲二区，形成于衬底漂移区上；P型注入二区和N型注入一区，层叠形成于衬底漂移区上；N型缓冲一区和P型注入一区位于P型注入二区和N型注入一区沿横向方向的一端，N型缓冲二区位于P型注入二区和N型注入一区沿横向方向的另一端；金属层，形成于P型注入一区、N型注入一区以及N型缓冲二区的上。本发明实现了逆向也可以导通的性能，可使器件从MOS状态更快切换到IGBT状态。本发明改善了现有的IGBT器件在小电流工作时VCE压降比较高的特点，使IGBT在小电流工作时，VCE压降比较小，能够提高小电流时的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 背面 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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