[发明专利]光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法在审
| 申请号： | 202310920753.3 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116931391A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张伟明;李玉兴;聂航;章学春;沈楠 | 申请（专利权）人： | 上海盛剑微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及光刻胶的去除技术领域，具体而言，涉及光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法，光刻胶剥离液包括醇醚类物质40.00％‑90.00％、非极性物质5.00％‑20.00％、烷醇胺类物质0.50％‑10.00％、金属保护剂0.01％‑2.00％、余量为水。光刻胶的剥离方法包括用上述光刻胶剥离液在预设温度下，剥离基材上的光刻胶。本发明的光刻胶剥离液能够有效地将环状变性物从基板上去除，改善因光刻胶残留导致膜层与膜层之间的衔接，即改善因光刻胶的残留对半导体器件的特性造成不良影响；而且，本发明配套光刻胶剥离液的方法也能够确保环状变性物被可靠地去除。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 剥离 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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