[发明专利]一种三维存储器阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202310921868.4 | 申请日： | 2023-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN116963508A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;孙经纬;王宗巍;鲍盛誉 | 申请（专利权）人： | 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00;H10N70/20;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器阵列架构及其制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明提出的三维1T1R阵列中，每条源线SL由串联的一列晶体管组成，对应有一条字线WL连接到这一列晶体管的栅极，控制这一列晶体管的开关状态。本发明阵列工作时，被访问的器件所在一列晶体管开启，其余列的晶体管关闭；器件所在的SL和位线BL施加相应访问或操作电压，非选通的BL和SL电压保持一致，可以访问到阵列中的任意一个器件。相应的，同时选通多条BL或同时选通多条SL来实现并行访问。采用本发明可以将1T1R阵列的存储密度提升到和目前3D‑Nand Flash存储器相当的程度，远超过目前的1T1R阵列密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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