[发明专利]一种微创植入式高密度脑电电极的制备在审

专利信息
申请号: 202310923806.7 申请日: 2023-07-26
公开(公告)号: CN116919410A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 霍峰蔚;谢瑞杰;韩蓄;侯雅琦 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: A61B5/293 分类号: A61B5/293;A61B5/265;A61B5/263;A61B5/268
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 张素斌
地址: 361005 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种微创植入式高密度脑电电极的制备,通过对薄膜电极的导电图案、基底形状进行设计,之后将其卷曲,实现了在一根直径为微米级纤维器件上集成超过100个脑电监测通道,通道在纤维上的分布及方向可调。该电极可以以微创的方式植入脑部。与现有技术相比,本方法采用平面微纳制造技术实现三维脑电监测电极制备,操作简单,设备简单。所制备高密度脑电监测电极尺寸小,生物相容性好,精密度高,使用寿命长,其可在神经细胞尺度上实现脑电信号的监测,可用于脑研究、脑机接口、神经调控等领域。
搜索关键词: 一种 植入 高密度 电极 制备
【主权项】:
暂无信息
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