[发明专利]一种掩模版的污渍去除方法在审
申请号: | 202310925138.1 | 申请日: | 2023-07-26 |
公开(公告)号: | CN116931364A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 黄偲;施维;郑怀志;罗嘉盈;肖炎微;刘科兴 | 申请(专利权)人: | 广州新锐光掩模科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 赵然 |
地址: | 510555 广东省广州市(*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种掩模版的污渍去除方法。掩模版是一种图像处理技术,用于从图像中提取对象或感兴趣区域;其工作原理为利用事先准备好的掩模版,通过将掩模版应用到图像处理中,将与掩模版相匹配的区域提取出来,而忽略其他区域;掩模版在实际使用中很容易沾染来自空气中的灰尘等污渍,影响其工作效率;传统清洗方法对掩模版的清洗存在不彻底的问题,掩模版在使用过程中产生的污渍沾染难以清洗干净;本发明提供的污渍去除方法能有效去除掩模版的污渍,增加了掩模版的使用效率,延长了掩模版的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 模版 污渍 去除 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州新锐光掩模科技有限公司,未经广州新锐光掩模科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310925138.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备