[发明专利]氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202310933061.2 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116926685A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡德敏;徐锦海 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/40;G06F18/24;G06N3/08;G06N3/096;G06N20/00 |
| 代理公司： | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人： | 曾岩 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液；基于初始状态信息和/或第一参数信息，检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 腐蚀 方法 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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