[发明专利]一种铋基杂化半导体材料及其光电探测应用在审
| 申请号： | 202310939460.X | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116924971A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 唐雪娜;刘广宁;王婷婕;高城城;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07D213/38 | 分类号： | C07D213/38;C07C279/02;C07C277/00;G01J1/42;H10K85/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种零维铋基有机‑无机杂化半导体的制备方法及其应用。所述的杂化半导体分子式为(H |
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| 搜索关键词： | 一种 铋基杂化 半导体材料 及其 光电 探测 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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