[发明专利]一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源在审
| 申请号： | 202310941651.X | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116931641A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙帆;黄海波;高刃;卢军;隋纪祥;程诗卿;赵熠;黄晟 | 申请（专利权）人： | 湖北汽车工业学院;武汉高德红外股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 武汉同誉知识产权代理有限公司 42320 | 代理人： | 张文俊 |
| 地址： | 442000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗高精度的无电阻型CMOS基准电压源电路，属于模拟集成电路领域，包括自偏置电流源电路、正温度系数电压产生电路和启动电路。自偏置电流源电路采用两个工作于亚阈值区的不同阈值电压的NMOS管构成堆叠结构，产生纳安量级的偏置电流和负温度系数电压。正温度系数电压产生电路采用PMOS差分对结构产生正温度系数电压，对负温度系数电压进行一阶曲率补偿；利用工作于截止区的NMOS管产生随温度近似成指数变化的漏电流，进行高阶曲率补偿，提高基准电压源的精度。启动电路在上电的瞬间消除零状态简并点，使电路进入正常工作的状态。本发明在无电阻和无BJT管的情况下，获得了低功耗、低电源电压和高精度的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 高精度 电阻 cmos 基准 电压 | ||
【主权项】：
暂无信息
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