[发明专利]半导体监控结构及其监控方法在审
| 申请号： | 202310946002.9 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116936541A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周俊杰;梁肖;段新一 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体监控结构及其监控方法。本发明提出了一种适用于监控具有不同浅沟槽隔离STI结构密度的多个区域的绝缘材料层在同一D‑STI CMP工艺过程中的研磨厚度的半导体监控结构，其包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括三个器件密度不同的浅沟槽隔离STI结构区；多个STI结构，分别位于所述浅沟槽隔离STI结构区中，每个所述STI结构均包括形成在所述半导体衬底内的沟槽以及填充在所述沟槽内的绝缘材料层，而三个所述浅沟槽隔离STI结构区中所包含的所述沟槽的数目相互不同；刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖在所述形成的任意相邻两个所述STI结构之间所暴露出的所述半导体衬底的表面上，且所述绝缘材料层的顶面高于所述刻蚀停止层的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 监控 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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