[发明专利]一种SiC人工晶界合成方法在审
| 申请号： | 202310948734.1 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116926684A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张宏亮;宿冉冉 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B33/06;C30B29/36;B08B3/08 |
| 代理公司： | 南通英诺威讯专利代理事务所(普通合伙) 32508 | 代理人： | 范鑫鑫 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC人工晶界合成方法，利用单晶碳化硅基片制备任意角度和类型SiC人工晶界的精确方法。制备过程包括以下步骤：首先对单晶SiC基片进行切割，然后对单晶SiC基片进行化学清洗，以去除可能的污染和氧化层；随后，对清洗后的单晶SiC基片进行表面氢化处理，以确保单晶SiC基片在空气中长时间保持无氧化层的状态。最后，将经过氢化处理的单晶SiC基片转移到热压炉中进行压合。本发明通过改进一系列化学清洗和高温氢化处理步骤，确保单晶SiC基片表面保持长时间的洁净状态。配合热压炉的使用，可以精确制备出任意取向的SiC人工晶界。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 人工 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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