[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202310950503.4 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936378A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 付东之;马书英;赵艳娇 | 申请（专利权）人： | 华天科技（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 李小叶 |
| 地址： | 215300 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高密度扇出型封装结构及封装方法，该方法包括如下步骤：取一载片，在该载片上的表面形成抗反射层；在抗反射层上交替制备形成多层金属重布线层和钝化层；在金属重布线层上连接功能芯片，在重构晶圆结构的有效区的空白区域以及重构晶圆结构的无效区贴装假芯片；对芯片进行塑封，形成塑封体；对塑封体进行减薄处理，以露出芯片；对应切割道位置，在塑封体上形成沟槽，以释放塑封体的应力；去除载片和抗反射层，以使金属重布线层暴露；在暴露的金属重布线层上形成金属导电结构。该方法通过降低塑封体内应力与提升重构晶圆硅占比的多重手段，显著改善高密度扇出型封装重构晶圆的翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 扇出型 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技（江苏）有限公司，未经华天科技（江苏）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310950503.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
