[发明专利]一种硅表面平坦化和湿式清洗工艺在审
| 申请号： | 202310951601.X | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936345A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 江成陈;贺贤汉;曹德坤 | 申请（专利权）人： | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/306;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开了一种硅表面平坦化和湿式清洗工艺，本发明工艺可以更好地维持硅片表面粗糙度。另外，高温溶液以及碱性溶液对于粗糙度的影响最大，这两种溶液中OH |
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| 搜索关键词： | 一种 表面 平坦 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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