[发明专利]MEMS器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310952226.0 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116924323A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王飞飞;李健飞;徐宝盈 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 张桂蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件的制备方法，属于半导体加工技术领域。该制备方法包括：提供一半导体晶片，所述半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的牺牲层和结构薄膜层，所述结构薄膜层上具有梳齿结构；采用等离子体刻蚀的方式去除所述梳齿结构下方的牺牲层，以在所述梳齿结构和所述衬底之间形成空腔。采用该制备方法可以降低工艺难度，无需对器件进行干燥，保证制备出的MEMS器件的性能要求，且无需额外的昂贵设备，可以用于批量化晶圆生产制程中。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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